Electronic Devices and Circuits questions and answers PDF in Hindi

1. वैलेंस बैंड और कंडक्शन बैंड के बीच वर्जित ऊर्जा का अंतर सबसे कम होगा

ए धातु

बी अर्धचालक

सी इंसुलेटर

D। उपरोक्त सभी

उत्तर: विकल्प ए

Electronic Devices and Circuits questions and answers

2. एक NPN द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर के लिए, आधार क्षेत्र में धारा की मुख्य धारा क्या है?

ए छिद्रों का बहाव

B. छिद्रों का प्रसार

C. इलेक्ट्रॉनों का बहाव

D. इलेक्ट्रॉनों का प्रसार

उत्तर: विकल्प बी

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3. दावा (ए): एक जेएफईटी का उपयोग वर्तमान स्रोत के रूप में किया जा सकता है।

कारण (आर): चुटकी बंद क्षेत्र से परे जेएफईटी में वर्तमान लगभग है

नियत।

A. A और R दोनों सत्य हैं और R, A की सही व्याख्या है

B. A और R दोनों सत्य हैं लेकिन R, A की सही व्याख्या नहीं है

C. A सत्य है परन्तु R असत्य है

D. A झूठा है परंतु R सत्य है

उत्तर: विकल्प ए

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4. P-N डायोड के लिए, संधि को पार करने वाले अल्पसंख्यक वाहकों की संख्या निर्भर करती है

A. फॉरवर्ड बायस वोल्टेज

बी संभावित बाधा

C. इलेक्ट्रॉन छिद्र युग्मों के तापीय उत्पादन की दर

डी। उपरोक्त में से कोई नहीं

उत्तर: विकल्प सी

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5. चालन बैंड में एक इलेक्ट्रॉन

A. वैलेंस बैंड में इलेक्ट्रॉन की तुलना में उच्च ऊर्जा है

B. वैलेंस बैंड में इलेक्ट्रॉन की तुलना में कम ऊर्जा है

C. अपना चार्ज आसानी से खो देता है

D. क्रिस्टल के शीर्ष पर कूदता है

उत्तर: विकल्प ए

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6. क्या है जरूरी ए.सी. 500 W d.c डिलीवर करने के लिए हाफ वेव रेक्टिफायर में उपयोग किए गए ट्रांसफॉर्मर सेकेंडरी से इनपुट पावर लोड करने की शक्ति?

ए 1232 डब्ल्यू

बी 848 डब्ल्यू

सी। 616 डब्ल्यू

डी 308 डब्ल्यू

उत्तर: विकल्प ए

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7. थर्मास्टर है a

ए थर्मोकपल

बी थर्मामीटर

सी। लघु प्रतिरोध

D. ऊष्मा संवेदनशील विस्फोटक

उत्तर: विकल्प सी

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8. एक आदर्श डायोड में कोई ब्रेकडाउन नहीं होता है, कोई __________ करंट नहीं होता है, और कोई फॉरवर्ड __________ ड्रॉप नहीं होता है।

ए रिवर्स, वोल्टेज

बी आगे, वर्तमान

C. फॉरवर्ड, वोल्टेज

डी। रिवर्स, करंट

उत्तर: विकल्प ए

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9. अग्र अभिनत p-n डायोड का गतिशील प्रतिरोध

A. धारा के साथ व्युत्क्रमानुपाती होता है

B. करंट के साथ सीधे बदलता है

C. स्थिर है

D. या तो स्थिर है या धारा के साथ सीधे बदलता है

उत्तर: विकल्प ए

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10. स्टैटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी के प्रत्येक सेल में होता है

ए 6 एमओएस ट्रांजिस्टर

B. 4 MOS ट्रांजिस्टर, 2 कैपेसिटर

C. 2 MOS ट्रांजिस्टर, 4 कैपेसिटर

D. 1 MOS ट्रांजिस्टर और 1 कैपेसिटर

उत्तर: विकल्प ए

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11. पावर डायोड सामान्यत: होते हैं

A. सिलिकॉन डायोड

बी जर्मेनियम डायोड

C. उपरोक्त में से कोई भी

डी। उपरोक्त में से कोई नहीं

उत्तर: विकल्प ए

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12. सिलिकॉन प्रकाश उत्सर्जक डायोड के निर्माण के लिए उपयुक्त नहीं है क्योंकि यह है

A. एक अप्रत्यक्ष बैंड गैप सेमीकंडक्टर

B. डायरेक्ट बैंड गैप सेमीकंडक्टर

C. वाइडबैंड गैप सेमीकंडक्टर

D. नैरोबैंड गैप सेमीकंडक्टर

उत्तर: विकल्प ए

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13. जब हिमस्खलन टूटता है तो सहसंयोजक बंधन प्रभावित नहीं होते हैं।

सच्चा

बी झूठा

उत्तर: विकल्प बी

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14. तांबे की किस किस्म की चालकता सबसे अच्छी होती है?

A. शुद्ध annealed तांबा

बी हार्ड खींचा तांबा

सी प्रेरण कठोर तांबा

डी। कॉपर सिलिकॉन के निशान युक्त

उत्तर: विकल्प ए

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15. मुक्त इलेक्ट्रॉन पाए जाते हैं

A. पहला बैंड

बी दूसरा बैंड

C. तीसरा बैंड

डी चालन बैंड

उत्तर: विकल्प डी

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16. हाफ वेव रेक्टिफायर में लोड करंट प्रवाहित होता है

ए। केवल इनपुट सिग्नल के सकारात्मक आधे चक्र के लिए

बी। केवल इनपुट सिग्नल के नकारात्मक आधे चक्र के लिए

C. पूर्ण चक्र के लिए

D. चौथे चक्र से कम के लिए

उत्तर: विकल्प ए

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17. अभिकथन (A): p-n-p ट्रांजिस्टर संग्राहक धारा को ऋणात्मक कहा जाता है।

कारण (R) : p-n-p ट्रांजिस्टर में छिद्र बहुसंख्यक वाहक होते हैं।

A. A और R दोनों सत्य हैं और R, A की सही व्याख्या है

B. A और R दोनों सत्य हैं लेकिन R, A की सही व्याख्या नहीं है

C. A सत्य है परन्तु R असत्य है

D. A झूठा है परंतु R सत्य है

उत्तर: विकल्प बी

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18. एक p प्रकार के अर्धचालक में कितने मुक्त इलेक्ट्रॉन होते हैं?

ए। केवल तापीय ऊर्जा द्वारा उत्पादित

बी। केवल डोपिंग द्वारा उत्पादित

C. डोपिंग के साथ-साथ तापीय ऊर्जा द्वारा उत्पादित

डी। उपरोक्त में से कोई भी

उत्तर: विकल्प ए

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19. प्रकाश आश्रित प्रतिरोधक होते हैं

A. अत्यधिक डोप्ड सेमीकंडक्टर

बी आंतरिक अर्धचालक

C. हल्का डोप्ड सेमीकंडक्टर

D. या तो A या B

उत्तर: विकल्प सी

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20. बाइपोलर ट्रांजिस्टर में एमिटर बेस जंक्शन होता है

A. फॉरवर्ड बायस

बी रिवर्स पूर्वाग्रह

C. शून्य पूर्वाग्रह

डी। शून्य या रिवर्स पूर्वाग्रह

उत्तर: विकल्प ए

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21. जंक्शन की कमी परत चौड़ाई

ए हल्के डोपिंग के साथ घट जाती है

बी लागू वोल्टेज से स्वतंत्र है

C. रिवर्स बायस के तहत बढ़ा है

D. भारी डोपिंग के साथ बढ़ता है

उत्तर: विकल्प सी

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22. एक आंतरिक सिलिकॉन नमूने में कमरे में 1 मिलियन मुक्त इलेक्ट्रॉन होते हैं

तापमान। जैसे-जैसे तापमान बढ़ा है

A. मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ जाती है

B. मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ जाती है लेकिन छिद्रों की संख्या घट जाती है

C. मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की संख्या समान मात्रा में बढ़ती है

D. मुक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की संख्या में वृद्धि होती है लेकिन समान मात्रा में नहीं

उत्तर: विकल्प सी

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23. यदि डायोड से बहुत अधिक धारा प्रवाहित होती है

A. सभी इलेक्ट्रॉन निकल जाएंगे

B. सभी छेद जम जाएंगे

C. अत्यधिक गर्मी डायोड को नुकसान पहुंचा सकती है

D. डायोड प्रकाश उत्सर्जित करेगा

उत्तर: विकल्प सी

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24. निम्नलिखित में से किसकी प्रतिरोधकता सबसे अधिक है?

ए मीका

बी पैराफिन मोम

सी। वायु

डी खनिज तेल

उत्तर: विकल्प सी

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25. कमरे के तापमान पर एक आंतरिक अर्धचालक में धारा किसके कारण होती है

ए छेद

बी इलेक्ट्रॉन

सी आयन

D. छिद्र और इलेक्ट्रॉन

उत्तर: विकल्प डी

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26. CB मोड में एक ट्रांजिस्टर का करंट गेन 0.99 है। सीसी मोड में इसका वर्तमान लाभ है

ए 100

बी 99

सी. 1.01

डी। 0.99

उत्तर: विकल्प ए

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27. अभिकथन (A): एक p-n संधि का विपरीत दिशा में उच्च प्रतिरोध होता है।

कारण (R) : जब p-n सन्धि पर उल्टा बायस लगाया जाता है तो अवक्षय परत की चौड़ाई बढ़ जाती है।

A. A और R दोनों सत्य हैं और R, A की सही व्याख्या है

B. A और R दोनों सत्य हैं लेकिन R, A की सही व्याख्या नहीं है

C. A सत्य है परन्तु R असत्य है

D. A झूठा है परंतु R सत्य है

उत्तर: विकल्प ए

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28. बाइपोलर ट्रांजिस्टर में बेस कलेक्टर जंक्शन होता है

A. फॉरवर्ड बायस

बी रिवर्स पूर्वाग्रह

C. शून्य पूर्वाग्रह

डी। शून्य या आगे पूर्वाग्रह

उत्तर: विकल्प बी

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29. धातु की सतह से बाहर निकलने के लिए 0 K पर सबसे तेज़ इलेक्ट्रॉन द्वारा आवश्यक अधिकतम ऊर्जा कार्य फलन है।

सच्चा

बी झूठा

उत्तर: विकल्प बी

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30. एक संवर्द्धन प्रकार MOSFET की आउटपुट, V-I विशेषताएँ हैं

A. केवल एक ओमिक क्षेत्र

B. केवल एक संतृप्ति क्षेत्र

C. उच्च वोल्टेज पर संतृप्ति क्षेत्र के बाद कम वोल्टेज मान पर एक ओमिक क्षेत्र

डी। कम वोल्टेज पर संतृप्ति क्षेत्र से पहले बड़े वोल्टेज मूल्यों पर एक ओमिक क्षेत्र

उत्तर: विकल्प सी

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31. प्रकाश विद्युत उत्सर्जन धारा की मात्रा निर्भर करती है

ए घटना विकिरण की आवृत्ति

B. आपतित विकिरण की तीव्रता

C. आपतित विकिरण की आवृत्ति और तीव्रता दोनों

डी। उपरोक्त में से कोई नहीं

उत्तर: विकल्प सी

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32. मानव नेत्रों की संवेदनशीलता अधिकतम होती है

A. स्पेक्ट्रम का सफेद भाग

B. स्पेक्ट्रम का हरा भाग

C. स्पेक्ट्रम का लाल भाग

D. स्पेक्ट्रम का बैंगनी भाग

उत्तर: विकल्प बी

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33. मानव नेत्रों की संवेदनशीलता अधिकतम होती है

A. स्पेक्ट्रम का सफेद भाग

B. स्पेक्ट्रम का हरा भाग

C. स्पेक्ट्रम का लाल भाग

D. स्पेक्ट्रम का बैंगनी भाग

उत्तर: विकल्प बी

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34. निम्नलिखित में से कौन सा 126 द्वारा जंक्शन डायोड की अधिकतम वर्तमान रेटिंग हो सकती है?

ए 1 ए

बी 10 ए

सी. 20 ए

डी 100 ए

उत्तर: विकल्प ए

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35. पीजोइलेक्ट्रिक क्वार्ट्ज़ क्रिस्टल रेज़ोनेटर का उपयोग कहाँ होता है

ए सिग्नल प्रवर्धन की आवश्यकता है

B. सिगनल के सुधार की आवश्यकता है

C. सिग्‍नल फ्रीक्‍वेंसी नियंत्रण आवश्‍यक है

D. सिग्नल का मॉडुलन आवश्यक है

उत्तर: विकल्प बी

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36. हीरे की बिक्री में वजन की इकाई कैरेट होती है। एक कैरेट बराबर होता है

ए 100 मिलीग्राम

बी 150 मिलीग्राम

सी। 200 मिलीग्राम

डी। 500 मिलीग्राम

उत्तर: विकल्प सी

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37. 0 K पर जर्मेनियम में वर्जित ऊर्जा अंतराल लगभग होता है

ए 10 ईवी

बी 5 ईवी

सी। 2 ईवी

डी। 0.78 ईवी

उत्तर: विकल्प डी

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38. दावा (ए): एक वीएमओएस अन्य क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर की तुलना में बहुत अधिक वर्तमान संभाल सकता है।

कारण (R) : एक VMOS में कंडक्टिंग चैनल बहुत संकरा होता है।

A. A और R दोनों सत्य हैं और R, A की सही व्याख्या है

B. A और R दोनों सत्य हैं लेकिन R, A की सही व्याख्या नहीं है

C. A सत्य है परन्तु R असत्य है

D. A झूठा है परंतु R सत्य है

उत्तर: विकल्प सी

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39. सेमीकंडक्टर डायोड में बैरियर विरोध करता है

A. केवल P- क्षेत्र में छेद

B. केवल N-क्षेत्र में मुक्त इलेक्ट्रॉन

C. दोनों क्षेत्रों में अधिकांश वाहक

D. दोनों क्षेत्रों में बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक वाहक

उत्तर: विकल्प सी

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40. बाइपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर की तुलना में, एक FET

ए कम शोर है

बी बेहतर थर्मल स्थिरता है

C. उच्च इनपुट प्रतिरोध है

D। उपरोक्त सभी

उत्तर: विकल्प डी

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41. सबसे अधिक इस्तेमाल होने वाला अर्धचालक पदार्थ है

ए सिलिकॉन

बी जर्मेनियम

C. सिलिकॉन और जर्मेनियम का मिश्रण

डी। उपरोक्त में से कोई नहीं

उत्तर: विकल्प ए

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42. परमलॉय है

A. स्टेनलेस स्टील की एक किस्म

बी एक बहुलक

C. विमान उद्योग में इस्तेमाल होने वाला एक शंकु-लौह मिश्र धातु

D. उच्च पारगम्यता वाला एक निकेल एक लौह मिश्रधातु है

उत्तर: विकल्प डी

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43. निम्नलिखित में से कौन सा फेरोइलेक्ट्रिक की विशेषता नहीं है

सामग्री?

A. उच्च ढांकता हुआ स्थिरांक

बी कोई हिस्टैरिसीस नहीं

सी। फेरोइलेक्ट्रिक विशेषता केवल क्यूरी बिंदु से ऊपर है

D. विद्युत द्विध्रुव आघूर्ण

उत्तर: विकल्प सी

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44. इनमें से किसमें रिवर्स रिकवरी टाइम लगभग शून्य है?

A. जेनर डायोड

बी सुरंग डायोड

C. शोट्की डायोड

डी पिन डायोड

उत्तर: विकल्प सी

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45. हॉल प्रभाव एक नमूने में देखा जाता है जब यह विद्युत प्रवाहित होता है और एक चुंबकीय क्षेत्र में रखा जाता है। नमूने के अंदर परिणामी विद्युत क्षेत्र है

ए। वर्तमान और चुंबकीय क्षेत्र दोनों के लिए सामान्य

B. धारा की दिशा में

C. चुंबकीय क्षेत्र के समानांतर

डी। मनमानी दिशा में

उत्तर: विकल्प ए

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46. फर्मी स्तर ऊर्जा की वह मात्रा है जिसमें

ए छेद कमरे के तापमान पर हो सकता है

B. एक इलेक्ट्रॉन कमरे के तापमान पर हो सकता है

C. चालन बैंड में एक इलेक्ट्रॉन चाल को दिया जाना चाहिए

डी। उपरोक्त में से कोई नहीं

उत्तर: विकल्प सी

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47. अखंड आईसी में, सभी घटकों का निर्माण किया जाता है

A. प्रसार प्रक्रिया

बी ऑक्सीकरण

सी वाष्पीकरण

डी। कोई नहीं

उत्तर: विकल्प ए

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48. जब वोल्टेज रेटिंग बढ़ाने के लिए डायोड श्रृंखला में जुड़े होते हैं तो पीक इनवर्स वोल्टेज प्रति जंक्शन

A. ब्रेकडाउन वोल्टेज के आधे से अधिक नहीं होना चाहिए

बी ब्रेकडाउन वोल्टेज से अधिक नहीं होना चाहिए

C. ब्रेकडाउन वोल्टेज के एक तिहाई से अधिक नहीं होना चाहिए

D. ब्रेकडाउन वोल्टेज के बराबर या उससे कम हो सकता है

उत्तर: विकल्प सी

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